Vicerrectoría de Investigación y Estudios de Posgrado
Posgrado/Programas de Posgrado/Maestría en Dispositivos Semiconductores

Dirección General de Estudios de Posgrado

Programas de Posgrado

Maestría en Dispositivos Semiconductores

Este programa pertenece al PNPC de CONACYT
Nivel PNPC: Consolidado

Coordinación de Posgrado:

Instituto de Ciencias
Coordinador: Dra. Blanca Susana Soto Cruz
E-mail Coordinador: pdscoordinacion@gmail.com
Dirección: Av. San Claudio y 14 Sur C. U. Edif. IC-5 Col. San Manuel. Puebla, Pue. C.P. 72570
Teléfono: 01 (222) 229 5500 ext. 7738 o 1368
Fax: 01 (222) 229 5500 ext. 7738
E-mail: pdscoordinacion@gmail.com
Web: http://posgradosemiconductores.com.mx/

Información del Programa:

Orientación: Investigación
Duración: 2 Años
Periodo Escolar: Semestral
Materias: 12
Créditos: 90
Inicio de Periodo escolar: Enero y Agosto
Año de creación: 1986

Costos:

Inscripción Anual: $0.00

Pago semestral a la DAE: $100.00 MN


Objetivo:

Formar recursos humanos de alto nivel académico capaces de desempeñar un papel significativo en la creación y aplicación del conocimiento teórico-práctico para coadyuvar a la solución de problemas locales, regionales, nacionales e internacionales. Lo anterior, preferentemente en las áreas de energías renovables y mejora del medio ambiente mediante el desarrollo de materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados.


Objetivos Particulares:

Formar recursos humanos que:

·      Comprendan la ciencia básica de los materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados con una perspectiva de aplicación preferentemente en las áreas de energías renovables y mejora del medio ambiente.

·      Desarrollen investigación teórico-experimental y generen conocimiento de punta en alguna de las líneas de generación y aplicación del conocimiento del programa.

·      Vinculen el conocimiento adquirido para la solución de problemas relacionados con el sector productivo, social y/o educativo.

·      Generen propuestas innovadoras y toma de decisiones en el diseño, desarrollo y aplicación de materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados. 

·      Cuenten con una formación integral incluyendo valores y actitudes para incorporarse en programas de doctorado nacional o internacional de alta calidad.


Requisitos:

1.    Presentar el título o acta de examen de licenciatura.

2.    Promedio mínimo general de 8 en la licenciatura.

3.    Presentar el certificado de al menos 400 puntos del idioma ingles (TOEFL o equivalente).

4.    Presentar al menos 2 cartas de recomendación de profesores/investigadores externos al posgrado.

5.    Cursar y aprobar los cursos propedéuticos.

6.    Contar con tema y protocolo de tesis.

7.    Entrevistarse con el comité de admisión.

8.    Presentar una solicitud de ingreso exponiendo los motivos académicos y personales.

9.    Curriculum académico

10.Carta compromiso de ser estudiante de tiempo completo en el Programa de Maestría.

11.Para el caso de aspirantes que radiquen en el extranjero, deberán presentar y aprobar los exámenes de admisión correspondientes.

12.Cumplir los requisitos que exige la Universidad.

13.Los casos especiales serán tratados por el comité académico.


Requisitos de Egreso:

Poseer el título de Licenciatura y cédula profesional.

2.- Concluir el plan de estudios del programa de Maestría.

3.- Obtener un promedio global mínimo de 8.0 en el programa de Maestría.

4.- Presentar el certificado de al menos 450 puntos del idioma ingles de TOEFL o equivalente.

5.-Constancia de no adeudo de equipo y herramientas de los laboratorios y del taller del CIDS.

6.- Cubrir los requisitos administrativos establecidos por la Universidad.

7.- Obtener el grado de maestría de acuerdo a los tiempos establecidos por el CONACYT, conforme a los siguientes lineamientos:

a)    Entregar la tesis impresa a los miembros del jurado propuesto por los asesores y avalado por la Coordinación del Posgrado con al menos 10 días hábiles de anticipación a su fecha de presentación del coloquio.

b)    Presentar un coloquio con al menos 10  días hábiles previos a la presentación del examen de grado.

c)    Aprobar el examen de grado.

8.- El estudiante podrá obtener algunas de las siguientes distinciones académicas de acuerdo al reglamento del posgrado:

a)    Ad Honorem.

b)    Cum Laude.


Planta Docente:

Tiempo Completo

• Blanca Susana Soto Cruz
• Jose Alberto Luna Lopez
• José Luis Sosa Sánchez
• Reina Galeazzi Izasmendi
• Enrique Rosendo Andrés
• José Álvaro David Hernández de la Luz
• Mauricio Pacio Castillo
• Héctor Juárez Santiesteban
• Estela Gómez Barojas
• Jose Francisco Javier Flores Gracia
• Godofredo García Salgado
• Tomás Francisco Díaz Becerril
• Jesús Carrillo López
• José Joaquín Alvarado Pulido
• Javier Martínez Juárez
• Salvador Alcántara Iniesta
• Karim Monfil Leyva
• Maria Josefina Robles Águila
• Miguel Ángel Dominguez Jiménez


Plan de Estudios:

1° Semestre

• Física de Semiconductores
• Físico-Química del Estado Sólido
• Métodos Matemáticos
• Curso Formativo I

2° Semestre

• Tecnología de Semiconductores
• Física de Dispositivos Semiconductores
• Curso Formativo III
• Curso Formativo II

3° Semestre

• Optativa I
• Seminario de Tesis I

4° Semestre

• Optativa II
• Seminario de Tesis II


Cursos Optativos

• Luminiscencia de Semiconductores
• Celdas Solares
• Diseño de Circuitos Integrados MOS
• Difracción de Rayos X
• Obtención y Caracterización de Óxidos Conductores Tranparentes
• Introducción a la Química de Coloides
• Caracterización Óptica de Materiales
• Depósito de Películas Dieléctricas a Bajas Temperaturas
• Heteroestructuras Semiconductoras
• Física Avanzada de Semiconductores
• Celdas Solares de Silicio con Materiales Nanoestructurados
• Propiedades Ópticas y Espectroscopias de Nanomateriales
• Propiedades y Aplicaciones del Silicio Poroso
• Electroluminiscencia en Nanoestructuras Semiconductoras
• Espectroscopía de Películas Delgadas
• Física del MOS con Óxidos Nanoestructurados
• Sensores de Estado Sólido
• Microscopia de Películas Delgadas
• Análisis de Superficies Mediante Espectroscopías por Haz de Electrones
• Introducción a la Mecánica Cuántica
• Diseño Asistido por Computadora de Circuitos Integrados VLSI
• Dispositivos Microelectromecánicos MEMS
• Tópicos de Estado Sólido
• Estructuras Nanométricas de Semiconductores
• Defectos en Silicio
• Sensores Microelectromecánicos de Silicio
• Tópicos sobre Procesos de Conducción Eléctrica en Semiconductores Orgánicos
• Caracterización Eléctrica de Dieléctricos y Semiconductores
• Semiconductores Orgánicos
• Rocío Pirolítico
• Introducción a la Nanoelectrónica
• Física de Dieléctricos
• Física de Dispositivos Optoelectrónicos
• Crecimiento de Semiconductores Compuestos III-V por Epitaxia en Fase Líquida
• Caracterización Luminicente de Materiales Semiconductores
• Rayos X de Alta Resolución
• Conversión Termoiónica
• Conversión Termoeléctrica
• Diseño de Prototipos de Medición y Control
• BIOMEMS
• Propiedades Optoelectrónicas de las Ftalocianinas



Líneas de Investigación:

1.     Obtención y caracterización de materiales semiconductores orgánicos e inorgánicos, micro /nanoestructurados.

2.     Diseño, desarrollo y caracterización de Dispositivos Semiconductores para aplicaciones en Energías renovables, Medicina  y Medio ambiente.

3.     Modelación, Simulación, Desarrollo de Procesos y Circuitos Integrados.


Perfil de Ingreso:

Perfil de ingreso

 

Los aspirantes a ingresar al programa de Maestría deberán tener el siguiente perfil:

  1. Tener Vocación hacia la investigación teórico-experimental y disciplina en el trabajo.
  2. Tener disciplina en el trabajo.
  3. Tener actitud de superación académica, responsabilidad y disponibilidad de tiempo para las actividades que se desarrollen durante su estancia de estudios en el posgrado.
  4. Ser egresado de algún programa de nivel superior, en las áreas de ciencias naturales y exactas o de Ingeniería y Tecnología, preferentemente de las siguientes carreras: Ciencias Físico-matemáticas, Ciencias Químicas, Materiales, Ciencias Ambientales, Electrónica, Mecatrónica, Energías Renovables, Automotriz, Ciencias de la electrónica, Ciencias de la Computación, Ing. Mecánica y Eléctrica, Ing. Electrónica, Ing. Química, Industrial y áreas afines.
  5. Contar con conocimientos generales en matemáticas superiores, física general, electrónica básica o química básica.

Perfil de Egreso:

1.    El egresado tendrá capacidad para proponer, desarrollar y resolver problemas de investigación científica y tecnológica en materiales y dispositivos semiconductores micro y nano estructurados, así como en el Modelado, Simulación, Desarrollo de Procesos y Circuitos Integrados, a través de la aplicación del método científico.

2.    Será capaz de desarrollarse en las áreas de investigación propias de su formación tanto en el sector público como en el privado, y en su caso, tendrá la capacidad de formar recursos humanos a través de la docencia en su área de conocimiento.

3.    Deberá contar con los conocimientos necesarios para poder ingresar como estudiante a un programa de doctorado afín.

4.    Además deberá contar con las siguientes habilidades:

a.    Comunicación científica oral y escrita clara y precisa.

b.    Manejo de equipo científico en su área de formación

c.     Vincular investigaciones y generar propuestas innovadoras a la solución de problemas científico - tecnológicos.

d.    Argumentar críticamente.

e.    Planificar, actuar, monitorear y evaluar el trabajo a desarrollar (ej. proyectos, estancias, avances de tesis, artículos, congresos, etc).

f.      Trabajar interdisciplinariamente.

5.    Así también, con las siguientes actitudes:

a.    Autónomo.

b.    Responsable.

c.     Autocrítico.

d.    Ético.

e.    Honesto.

f.      Emprendedor.

g.    Participativo. 

h.    Aprendizaje continuo.

6.    Deberán desarrollarse íntegramente dentro de los principios de solidaridad, respeto a la dignidad humana y cuidado del medio ambiente, contribuyendo así a elevar el nivel y la calidad de vida de la sociedad.


Información Adicional:

Debido a que la orientación del programa es de Investigación, la única forma de titulación es mediante la elaboración y defensa de un trabajo de tesis.


Estudiantes Matriculados

2010 - 10
2011 - 7
2012 - 3

Noticias
Se llevó a cabo el Cuarto Concurso Estudiantil de Prototipos de Innovación Tecnológica.
Investigadores del DICA de la BUAP proponen programas y acciones de recuperación del suelo.
En 2013 se detectaron 5 mil 405 y 3 mil 771 defunciones, respectivamente, en el país.
Exposiciones de robótica, teatro, grupos musicales, concurso de oratoria y cuadrangulares de básquetbol y fútbol.
Se premiaron a los mejores equipos en ocho categorías y se entregaron acreditaciones a los trabajos con mayor impacto social y comercial.
Concluyó el Taller Taxonomía de Encinos Raros en México, organizado por el Jardín Botánico de la BUAP, el cual reunió a expertos de México y Estados Unidos.
Participan 69 equipos integrados por 185 estudiantes de la BUAP y de otras universidades del país.
Se llevará a cabo del 20 al 22 de septiembre, en el Complejo Cultural Universitario.
Nuestro país es el hogar de más especies en el mundo.
Con estas tecnologías respaldan los métodos de enseñanza en las escuelas. Además, mejoran la navegación en espacios virtuales.
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